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      漏（lòu）源电压BV DSS (V)(Min.)：

      550

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      110

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      140

      最大漏极电流Id(on)(A)：

      25

      通道极性：

      N沟道

      封装/温度（dù）(℃)：

      TO-220F-3L/-55~125

      描述：

      550V,140mΩ,25A,N沟（gōu）道（dào）基于超级结（jié）技（jì）术的（de）功（gōng）率MOSFET


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